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价格:电议
所在地:上海
型号:WINETCH
更新时间:2024-03-05
浏览次数:691
公司地址:上海市康桥东路1159弄91号
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王先生(先生)
CCP等离子刻蚀机WINETCH刻蚀系统通过电容耦合(CCP)方式产生高密度等离子体,按掩膜(例如光刻胶掩膜)图形、实现对介质材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的选择性刻蚀。
CCP系统主要由以下几部分组成:反应腔室、下电 、喷淋头(上电)、射频电源、真空系统、预真空室、气路系统、控制系统与软件、配套附件等。
CCP等离子刻蚀机产品特点:
-刻蚀形貌好、工艺性能优越
-高选择比、高刻蚀速率
-低拥有成本和消耗成本

CCP等离子刻蚀机技术参数:
晶圆尺寸:6/8寸兼容
适用工艺:等离子体刻蚀
适用材料:SiO2,Si3N4,etc.
适用域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等域
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