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上海伯东超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

伯东企业（上海）有限公司

会员指数：

企业认证：

价格：电议

所在地：上海

型号：

更新时间：2022-12-09

浏览次数：1001

公司地址：上海浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室

13918837267 叶小姐(女士) 销售工程师

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产品简介

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池,科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

公司简介

伯东企业（上海）有限公司专业代理各国知名真空产品位于中国上海浦东外高桥保税区的伯东企业（上海）有限公司创建于1995年12月，是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业，公司注册资金为200万美元，到目前为止公司从业员工有400多人。
伯东企业（上海）有限公司 (www.hakuto-vacuum.cn）专业销售及维修德国Pfeiffer单双级旋片泵，干泵，罗茨泵，分子泵；应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管)；检漏仪，质谱仪，真空系统等等, 维修技术力量雄厚，保证 100 % 拥有标准的德国Pfeiffer原厂测试设备及调整工具和德国Pfeiffer专业培训工程师，多年来致力于真空系统的安装、调试、维修、拆机、保养等，具有优良的专业技能和服务意识，并获得原厂授权维修资质证书。利用 Pfeiffer 进口检测设备对维修后的产品做全方位性能测试。另外公司还代理美国Brooks CTI Cryopump 冷凝泵/低温泵, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源，HVA 高真空阀门。
公司一直坚持品质一、信誉至上的原则，为广大客户提供了高品质的产品以及良好的售后服务。到目前为止已先后通过了美国UL安全认证、ISO9001－2000质量体系认证、ISO14001－1996环境体系认证。公司将在今后的发展中秉承以人为本，不断开拓进取的精神，为满足客户的需求努力向专业化、优质化、集团化发展。

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产品说明

超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
超高真空环境的特征为其真空压力低于 10^-8至 10^-12托, 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因实验通常要求在整个过程中, 表面应保持无污染状态并可使用较低能量的电子和离子的实验技术使用, 而不会受到气相散射的干扰并可以在这样超高真空环境下使用溅镀系统以提供高质量的薄膜.
上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池,科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯东超高真空磁控溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电与导电靶材
精准流量控制器 (最多4条气体管线)
基板可加热到 1000°C
基材到靶材之间距为可调节的
每个溅镀源和基板均安装遮板

超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备针对超高真空和高温加热设计的基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷, 来保护机构以确保长时间运转的稳定.

超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter

磁控溅镀设备基本参数

系统类型	Real 超高真空	超高真空	高真空	紧凑型高真空
极限真空	5X10^-10Torr	5X10^-9Torr	3X10^-7Torr	5X10^-7Torr
腔室密封	全部 CF(烘烤)	一些密封圈(烘烤)	全部密封圈	全部密封圈
电子枪	3-4, 2-3 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-3 英寸
电源	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF
Load-lock	标准(HV)	标准(HV)	标准(HV)/可选	标准(HV)/可选
基板	4-6 英寸加热至 800°C或水冷	4-8 英寸加热至 800°C或水冷	4-8 英寸加热至 800°C	4-6 英寸加热至 800°C
真空泵	低温泵	低温泵 / 分子泵	分子泵	分子泵
监控	真空规和Baratron	真空规和Baratron	真空规和Baratron	真空规和Baratron
工艺控制	部分 / 3位 /手动闸阀	部分 / 3位 /手动闸阀	部分 / 3位 /手动闸阀	部分 / 3位 /手动闸阀
气体	氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选)	氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选)	氩气, 氮气, 氧气	氩气, 氮气, 氧气
射频偏压清洁	300W RF(清洁和蚀刻)	300W RF(清洁和蚀刻)	可选	可选
离子源	100 KRi 离子源	100 KRi 离子源	可选	可选
薄膜	钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等	钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等

磁控溅镀设备 Sputter

腔体
客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150 oC
具有显示功能的全量程真空计和用于压力控制的 Baratron 真空计
腔体的极限真空度约10^-10 Torr
选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合离子源, 热蒸发源, 电子束...
基板可用射频或直流偏压
膜厚监测仪
射频等离子清洁用于基材
OES, RGA 或制程监控的额外备用端口
应用领域
半导体类, 纳米科技
产品质量控制和质量检查
氧化物, 氮化物和金属材料的研究
太阳能电池
光学研究, 材料研究

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86                    M: +886-939-653-958
                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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