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价格：电议
所在地：四川 绵阳市
型号：ZG-VOA-NS
更新时间：2024-08-27
浏览次数：735
公司地址：四川省绵阳市经开区积家工业园2号楼4H-F
陈女士(女士)
简介
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，极高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备卓越的可靠性。
特性 应用
100ns级高速响应 通道间光功率均衡或阻塞
多至48通道单片集成 模拟信号调制
全固态波导芯片
超低光损耗
主要指标（典型值）
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性能指标 |
单位 |
吸收型 |
备注 |
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工作波长 |
nm |
1525～1565 |
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响应时间 |
ns |
100-300 |
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插入损耗 |
dB |
1.2 |
光纤进到光纤出的损耗 |
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衰减范围 |
dB |
25 |
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偏振相关性 |
dB |
≤0.3 |
@0dB衰减时 |
|
≤0.5 |
@0~25dB衰减时 |
||
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功耗(@18dB衰减) |
mW |
150 |
随衰减量增大而增大 |
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电压 |
V |
1.2 |
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电流 |
mA |
0-35 |
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集成度 |
/ |
6CH/48CH |
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高速光衰减器
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