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| 是否提供加工定制 | 否 | 类型 | 数字式电阻测量仪表 |
| 品牌 | ACEGEM | 型号 | ZNR-1A/1B |
| 测量范围 | 10-5 ------1.9*105 Ω?cm (ZNR-1B)(MΩ) | 测试电压 | AC 220V ±10% 50/60Hz.(V) |
www.ace-gem.com卓耐科技ZNR-1A/1B
膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及专业测量软件组成
使用范围
u适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
u适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
u适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
u适用于科研部门、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
产品特点
u可测方块电阻:适合检测硅芯,检磷棒,检硼棒,籽晶等圆柱晶体硅
u适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
u适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
u适用于光伏拉晶铸锭及IC半导体器件企业
u适用于科研部门、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
u测试量程大,高端电阻率测试仪
u主机配置了“小游移四探针头”保证了一起数据的准确性
u仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响,因此测试精度大大提高
u测量精度高,除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
u独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差,实现了测量的和宽的量程范围
u双数字表结构使测量更,操作更简便
u具有强大的测试数据查询及打印功能
u测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
u四探针头采用进口红宝石轴套导向结构,使探针的游移率减小,测量重复性大大提高
u采用进口元器件,留有更大的安全系数,大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命
u测量电流采用高度稳定的特制恒流源(万分之五精度),不受气候条件的影响
u具有正测反测的功能,保证测试结果的准确性
u具有抗强磁场和抗高频设备的性能
技术参数
测量范围 | 10-5 ------1.9*105Ω•cm (ZNR-1B) 10-4------1.9*104Ω•cm(ZNR-1A) |
可测硅棒尺寸 | zui大长度300mm;直径20mm(均可按用户要求更改) |
输出电流 | DC0.001-100mA五档连续可调测量范围:0-199.99mV |
灵敏度 | 10μA |
输入阻抗 | 1000ΩM |
电阻测量误差 | 各档均低于±0.05% |
供电电源 | AC 220V ±10% 50/60Hz. |
推荐使用环境 | 温度:23±2℃相对温度:≤65% |
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