由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，他们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量。可用于高校物理教育实验，对导体/半导体/金属薄膜材料的电阻 及电阻率的测试及研究。本产品的电阻测量范围可达10-5—106Ω。
DP-SB100A/3型四探针导体/半导体电阻率测量仪是由DP-SB118/1型电压电流源以及DP-SB120/2四探针样品平台二台仪器构成。
l DP-SB118型直流电压电流源 （详见该产品使用说明书）
直流电流源
a) 电流输出范围：1nA~200mA，输出电压不小于5V；
b) 量程：分五档，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c) 电流输出的基本误差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA为0.05%RD±0.02%FS。
直流电压源
a) 电压输出范围：5μV~50V，负载电流不小于10mA（20mV以上）；
b) 量程：分五档，20mV、200mV、2V、20V、50V，每档均有粗调和细调；
c) 电压输出的基本误差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
数字电压表（4½LED）利用电压源部分“取样”端可对被测电压进行测试
a) 测量量程 20mV，200mV，2V，20V，200V
b) zui高分辨力 可达1µV
c) 基本误差为 0.03%RD±0.02%FS （20±2ºC）
l DP-SB120/2四探针样品平台（详见该产品使用说明书）
为被测薄膜样品，利用四探针测量方式测量导体/半导体样品的电阻和电阻率，提供了方便。
