FT1000SA 三轴MEMS电容加速度传感器

FT1000SA三轴MEMS电容加速度传感器由本公司自行研制，用于测量单轴加速度的传感器。它采用高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性。

  公司成立于2009年，注册资金200万元，公司总部位于古城西安经济技术开发区凤城二路22号。是一家集产品研发、生产、代理销售为一体的高科技公司。

公司主要业务有：

设计、开发和生产振动、冲击加速度/速度/力/压力/位移等传感器及相关信号调理器、振动激励系统、动态信号数据测试与采集、动态信号分析与模态测试等产品；

设计、开发和生产无线电高度表（雷达高度计），气压高度计，基于MEMS技术的惯性组合导航产品，以及其它定制产品开发和非标测控系统定制项目，并承接OEM定制服务；

公司代理业务：美国AST压力传感器、美国SDI电容加速度传感器、ROKE无线电高度表、avenet无线电高度表等、高速数据采集卡、视频采集卡、图像采集卡、便携加固计算机/Getac及松下加固笔记本/加固机箱、单板计算机及嵌入式系统、计算机仿真模拟、高速图像及雷达信息处理、航空测试设备（总线测试仪、线缆测试仪、飞机供电特性参数测试仪、高速大容量实时数据采集记录系统）、电源模块。

FT1000SA系列MEMS电容三轴加速度传感器

一、传感器特点：

FT1000SA三轴MEMS电容加速度传感器由本公司自行研制，用于测量单轴加速度的传感器。它采用高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性。

  FT1000SA三轴MEMS电容加速度传感器本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

二、产品性能

灵敏度（20±5℃）	X Y Z:～40-20mv/g
测量范围（峰值）	50~100 g
最大横向灵敏度	≤1 ％
频率响应（±5%）	DC ～12000 Hz
安装谐振频率	25,000 Hz
频谱噪声	25 μg/√Hz
工作温度范围	-40～+120 ℃
温度响应	见温度曲线
极性	正向
温度灵敏度稳定性	5%
磁灵敏度	2 g/T
线性度为满度范围	±0.1%
安装	M5螺钉/安装座/磁座
敏感材料	MEAS芯片
壳体材料	钛合金
重量	13g
输出方式	九芯插头/5线制
供电电压	DC7-12V
配套件
传感器合格证	标定参数、频响曲线
M5螺栓/安装座	一套
9芯/（2 米）	1根

FT1000SA系列三轴MEMS电容加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。

本页产品地址：http://www.geilan.com/sell/show-9547133.html