华大电子MCU-CIU32F011x3、31x5嵌入式闪存

华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模块，该模块控制 FLASH 的擦除、编程以及读取数据。

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5. 嵌入式闪存（FLASH）

5.1. 模块介绍

华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模块，该模块控制 FLASH 的擦除、编程以及读取数据。上电时会从 FLASH 中读取相关数据进行校验以及初始化配置，保证芯片程序在正确且安全的情况下运行。

5.2. 功能特点

• 支持高达 64K 主闪存空间的 FLASH

• 存储器结构

– 主闪存空间 64K 字节

– 副闪存空间 4.5K 字节

• 指出对闪存空间的擦写、编程和读操作

• 支持对闪存空间访问限制和擦写保护

• 支持低功耗模式

5.3. 功能说明

5.3.1. 闪存结构

闪存空间由 32 位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 32 页（每页 1K 字节）分块，以页为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。

 

注：当主闪存空间 64KB 不够存放用户程序时，可把副闪存空间的扇区 0 至扇区 7 扩展为程序存放空间，即支持 68KB的程序存放空间。

5.3.2. 闪存读保护

读操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成，用于存放指令或者数据。当 NVR8 用户配置区经过自定义的保护配置后,SWD 连接时会对 FLASH 的代码数据执行保护机制。

注：FLASH 运行在 24MHz 工作频率，当系统时钟超过 30MHz 时，需要配置 TIMER_REG0 的 RC 参数，增加时钟周期数再把 FLASH 接口的数据写到寄存器。

5.3.3. 闪存擦除和烧写操作

烧写和擦除操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成。烧写和擦除操作由下列 6 个寄存器完成，先根据烧写的时钟配置好烧写时序(TIME_REG1)，再配置烧写密码，配置好编程地址，最后配置好编程数据，即可开始执行烧写，然后等待操作结束。

烧写操作相关寄存器

• 时序寄存器 1 ：TIME_REG1

• 密码寄存器 ：NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD

• 编程地址寄存器：PROG_ADDR

• 编程数据寄存器：PROG_DATA

• 状态寄存器 ：DONE

擦除操作相关寄存器：

• 擦除控制寄存器：ERASE_CTRL

注：需要注意的是，FLASH 在擦除/烧写的同时不可以从 FLASH 取数据，所以 FLASH 在擦除/烧写过程中会让总线停顿，

直到完成后才能继续运行。

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