电子背散射硅探测器

电子背散射硅探测器设计结构为环形象限、靶孔和带薄入口窗的双元素探测器，针对性的用于电子显微镜中1keV的低能电子探测。

北京鑫东鑫科技有限公司于2015年注册成立。本着 “以客户服务为中心”的经营理念，为国内核物理、高能物理、粒子物理等领域内用户提供实验和设备所需的高精尖产品。产品范围涵盖了：各类核探测器，无论是带电粒子、X射线、γ射线探测，还是中子探测，我们都可以为您选择一款属于您的探测器；核电子学，无论是传统的NIM插件，还是集成度较高的VME系统，亦或是目前被大多数用户所认可的高速数据采集卡（Digitizer），总有一套系统可以实现您的分析目标；高/低压电源，前置放大器低压电源、探测器高压直流电源、加速器大功率电源系统、脉冲电源等，保障您的系统安全稳定运行。 服务对象包括研究所、高校、环保、医疗、辐射检测设备生产企业等众多领域。 我们不但可以提供客户的产品，还可以根据客户需求给出解决方案。客户的需求即是我们工作的目标，客户的满意是我们不懈努力的方向！

电子背散射硅探测器

自1983年以来，MICRON已成为核物理、高能物理、空间物理、核医学研究、OEM(原始设备制造商)市场的硅探测器的领先制造商。MICRON专门生产定制的AC和DC硅和金刚石探测器，被世界各地的用户广泛使用。

LL系列硅探测器设计结构为环形象限、靶孔和带薄入口窗的双元素探测器，针对性的用于电子显微镜中1keV的低能电子探测。

电子背散射硅探测器主要性能指标参数（以LL2-300为例）：

有效探测面积：6.858 mm(内径) x 24.13 mm(外径)

靶孔直径：5.6mm

硅片厚度：300μm

死层厚度：1μm、100nm、50nm可选

表面电容：40 pF /cm²

正向电压(10mA)：< 0.8 V

噪声(12V) rms：< 2.5mV(相对值)

表面金属化：铝3000 Å

欧姆面金属化：金3000Å

封装方式：PCB封装

连接器：飞线连接（其他连接器类型可选）

质量保证：ISO9001

LL系列产品多种尺寸可选，可根据设计需求来电咨询，选择合适的探测器。


电子背散射硅探测器

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