S100/S200/S300 国产源表搭建半导体霍尔效应测试实验

普赛斯仪表开发的霍尔效应测试系统可以实现几千到至几万点的多参数自动切换测量，系统由S系列国产源表，2700矩阵开关和S型测试软件等组成。可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、载流子浓度和霍尔迁移率，并绘制曲线图

武汉普赛斯仪表自主研发的台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。

武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成行业标杆。

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武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业，专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括：华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等，公司旨在为光电器件生产企业提供服务，针对产线生产的痛点问题，模拟现实应用环境，进行半导体光器件性能指标生产监测和测试，实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点，从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。

 

半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段，可根据霍尔系数的符号判断材料的导电类型。霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转，当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，形成附加的横向电场。

 

根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率，用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。与其他测试不同的是霍尔参数测试中测试点多、 连接繁琐，计算量大，需外加温度和磁场环境等特点，在此前提下，手动测试是不可能完成的。

 

普赛斯仪表开发的霍尔效应测试系统可以实现几千到至几万点的多参数自动切换测量，系统由S系列国产源表，2700矩阵开关和S型测试软件等组成。可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、载流子浓度和霍尔迁移率，并绘制曲线图。在半导体制程的晶圆基片和离子注入等阶段，或者封装好的霍尔器件需要做霍尔效应的测试。

需要测试的参数：

电阻率

霍尔系数

载流子浓度

霍尔迁移率特性曲线

 

范德堡法

需要的仪器列表：

国产S型源表

开关

变温器

可变磁场

软件

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