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HUSTEC-1600A-MT igbt静态参数测试仪华科智源

深圳市华科智源科技有限公司

会员指数：

企业认证：

价格：电议

所在地：广东

型号：HUSTEC-1600A-MT

更新时间：2023-11-01

浏览次数：931

公司地址：深圳市宝安区航城街道鹤洲社区洲石路739号恒丰工业城C栋816

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产品简介

igbt静态参数测试仪华科智源是一款大功率器件参数测试仪，可用于IGBT单管及模块，SIC器件，MOS管，二极管等功率器件的静态参数测试。

公司简介

深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事仪器仪表代理的综合性服务公司,于2010年在深圳注册成立，目前已经成为国内的仪器经销商，系统集成商和综合服务商之一。深圳市华科智源科技有限公司的客户涉及工业电子制造、通信及信息技术、教育科研、航空航天、微电子、新能源、生物医药、节能环保等行业和领域，通过与、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、费思泰克Faith、牛津OXFORD、岛津SHIMADZU等知名厂商的合作，为客户提供产品增值销售、应用系统集成、科技租赁、计量校准、维修维护等综合服务。深圳市华科智源科技有限公司，,主要研发生产的设备有SMT首件检测仪，首件检测系统，SMT首件测试仪，ITC57300,半导体动态参数测试仪，ITC55100等高端测试产品及测试系统。深圳市华科智源科技有限公司一贯坚持“可靠的产品，优质的服务”的经营方针，结合市场变化和客户要求，华科智源致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，为客户提供“需求分析、产品选型、人员培训和售后服务”等一条龙完善服务，赢得了生产厂商和用户的广泛好评。深圳市华科智源科技有限公司将秉持迅速、可靠、专业的态度永续经营，以提供实时有效的服务为终目标。

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产品说明

igbt静态参数测试仪华科智源

igbt静态参数测试仪华科智源
产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容，可升级到3KA/10KV.

VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；

采用插槽式设计结构，便于升级和维护；

设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，

自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度

支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；同一规格型号，不同批次的产品曲线对比，同一规格，不同厂家之家的产品曲线对比

开放通讯接口，可以连接探针台做wafer / chip 测试，也可以连接HANDLE,夹具及适配器做模块测试,

测试数据可存储为Excel文件，WORD报告

igbt静态参数测试仪华科智源
技术指标 Technical Specifications

技术指标
★	3.4	VGE(th)栅极阈值电压	VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
	3.5	VGE(th) 测试条件与精度	集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；
★	3.6	VCES集射极截止电压	VCES：0-5000V±1%±2V；
	3.7	VCES 测试条件与精度	集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
★	3.8	ICES集射极截止电流	集电极电流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
	3.9	ICES 测试条件与精度	集电极电压VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V；
★	3.10	VCE(sat)饱和导通压降	集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V
	3.11	VCE(sat) 测试条件与精度	栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A；
★	3.12	Iges栅极漏电流	栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA
	3.13	Iges测试条件与精度	栅极电压Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V；
★	3.14	VF正向特性测试	二极管导通电压Vf：0.1～10V±1%±0.01V
	3.15	VF正向特性测试测试条件与精度	电流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；

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