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价格：电议
所在地：湖北 武汉市
型号：TCT-HT
更新时间：2018-08-14
浏览次数：1007
公司地址：湖北省武汉市高新大道999号未来科技城C4栋
王珮鑫(女士)
薄膜热导率测试系统产品特点
薄膜热导率测试系统测试实例
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| 同温度下，Si薄膜热导率测试结果 | 不同温度下，SiO2薄膜热导率测试结果 |
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| 不同温度下，GeTe/Bi2Te3超晶格热导率的变化 | 不同温度下，GeTe/Bi2Te3超晶格热导率的变化 |
薄膜热导率测试系统技术参数
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型号 |
TCT-HT |
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温度范围 |
RT-500K |
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测试对象 |
半导体薄膜、导电薄膜、缘薄膜等 |
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热导率测量范围 |
0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K)) |
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测试精度 （热导率） |
±5%(在Si上测量)，±10%（其他） |
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适合氛围 |
真空 |
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样品尺寸 |
长 x 宽：(5-10)x(5-10)，单位mm,薄膜厚度≥100nm |
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其他注意事项 |
测量导电薄膜时，需要沉积缘层（推荐：Sio2），薄膜表面要非常光滑，确保缘层不漏电；衬底热导率要远大于薄膜热导率，推荐使用Si、AIN等高热导衬底。 |
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主机尺寸 |
710 x 600 x 490，单位mm |
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重量 |
80kg |
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薄膜热导率测试系统技术原理
薄膜热导率测试系统原理示意图
本产品技术方案核心为3ω测试法，其主要原理为在待测薄膜材料表面淀积一层金属电阻条，往金属条两端施加频率为ω的电流，那么在焦耳热的作用下该金属条将产生频率为2ω的温升，由于金属条一般表现出正电阻温度系数，这将导致其电阻值也产生频率为2ω的波动，这个频率为2ω的电阻与频率为ω的电流耦合将产生一个在频率为3ω的小电压信号V3ω。该小信号电压的幅值与待测材料的热导率有关，因而检测该电压信号后通过相关计算，就可求出待测材料的热导率Ks。
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