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ENI1220 西安易恩IPM 测试系统

西安易恩电气科技有限公司
会员指数: 企业认证:

价格:电议

所在地:陕西 西安市

型号:ENI1220

更新时间:2022-09-27

浏览次数:1414

公司地址:西安市高陵区融豪工业城V5

李想(女士) 经理 

产品简介

IPM测试系统,该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征

公司简介

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动IGBT参数测试系统、功率器件图示系统、集成电路测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、军工、高校等诸多领域。
完善的基础设施和人才队伍一直是企业强化建设的重点。公司设有测试实验室,调试中心,产品研发中心,服务团队等多个技研服务部门,以满足不同客户对测试解决方案的多层次需求。公司研发人员占总人数的40%,硕士学历以上人员占75%,专业技术人员占比超过66%,成员大多来自航天、航空、半导体及微电子相关研究院所及电力电子行业内的资深人士。公司通过了质量体系ISO9000认证及陕西省软件企业认定,承担国家科技部创新基金项目等,目前获得发明4项,实用新型15项,软件著作权3项。

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产品说明

西安易恩IPM 测试系统



西安易恩IPM 测试系统系统概述


西安易恩IPM 测试系统基础配置


西安易恩IPM 测试系统该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,

西安易恩IPM 测试系统系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。


电压

电流



标配

选配

标配

选配



1200V

1000V

200A

200A



2200V

400A



3300V

600A



4500V

1000A



6000V

2000A


西安易恩IPM 测试系统配置/短路测试


电压

电流

短路测试


标配

选配

标配

选配

项目

范围

误差

分辨率


1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V~1200V

±3%

10V


3300V

600A

测试电流

10A~7

±3%

1A


4500V

1000A

短路电流

100A~500A

±3%

1A


6000V

2000A

短路时间

1 uS~10uS

可调

可调












西安易恩IPM 测试系统测试功能


测试范围

测试参数


IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS


IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)


DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

















西安易恩IPM 测试系统参数 / 精度


静态参数


动态参数


上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V


上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)


上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

集电电流Ice:

10~7,

误差±3%,分辨率1A


上桥驱动IC高端静态工作电流测试

(Iqbs-U,V,W)


VD=VBS=15V,

误差±3%,分辨率0.1V


上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V

误差±3%,分辨率0.1V

上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


上桥驱动IC导通阈值电压测试

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS


toff-L: 50~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


上桥驱动IC关断阈值电压测试

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS


Trr-L :10~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,

误差±3%,分辨率0.1mJ


上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eoff-L: 0.1~10mJ

误差±3%,分辨率0.1mJ


下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

集电电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V


下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)


故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

集电电流Ice:

10~7,

误差±3%,分辨率1A


过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))


下桥欠压保护监测电平(UVdd)

VD=VBS=15V,

误差±3%,分辨率0.1V


下桥欠压保护复位电平(UVdr)

VIN=0~5V

误差±3%,分辨率0.1V


下桥驱动IC导通阈值电压

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS


下桥驱动IC关断阈值电压

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS


下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,

误差±3%,分辨率1nS


下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,

误差±3%,分辨率0.1mJ




Eoff-L: 0.1~10mJ

误差±3%,分辨率0.1mJ


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