6SN1130-1AA11-0GA0 6SN1130-1AA11-0GA0 德国

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==* 主要经营产品 *==

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*FANUC（法那克）：模块、卡件、驱动器等各类备件。
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6SN1130-1AA11-0GA0 德国
6SN1130-1AA11-0GA0 德国在±1%以内的无感电阻。传感电阻的zui大功率计算中需要估计传感电流的zui大值，PS21A7A 和 PS21A79
的传感电流的分流比为 1/3000。以下以 PS21A7A 为例来计算传感电流的zui大值。
计算举例：
（1）正常使用时
假设正常使用时的zui大电流为额定电流的 2 倍，即 150A。传感电阻值为 23.2Ω，则传感电流为
150A / 3000 = 50mA
该电流流经传感电阻后电阻上的损耗为：
P = I2
･R = (50mA)2
 x 23.2Ω= 58mW
（2）短路故障时
发生短路故障时，主电流大小依赖于具体应用条件，但zui大可能达到 IGBT 的饱和电流（约是额定电
流的 10 倍=750A）。此时的传感电流为
750A / 3000 = 250mA
但此电流应有短路保护电路在 2μs 内关断，则传感电阻上单位时间内的平均损耗为：
P=I2
･R･t/1s= (250mA)2
 x 23.2Ωx 2μs /1s =0.0029mW
因此，选用功率为 1/8W 以上的电阻是没有问题的，但实际应用中还需要做充分的评价。
[备注]
短路故障发生后，CIN 引脚的电压输入给模块，使得 IGBT 的栅被关断，IC 内部的动作有时间延迟，
该延迟时间如表 2-8 所示。
表 2-8 短路保护回路的延迟时间
项目 zui小值 典型值 zui大值 单位
SC 关断时间 0.3 0.5 1.0 μs
因此，从传感电阻上的压降超过短路保护设定值到 IGBT 的栅硬关断的总延迟时间是外部滤波器 RC
的延迟时间与 IC 内部延迟时间的总和。
短路保护动作的时序（只有下臂）・・・ 外接传感电阻和RC滤波回路
a1. 正常工作： IGBT 导通， 输出电流
a2. 检测到短路电流（SC 触发）；（设置 RC 时间常数为 1.5～2.0μs。）
a3. N 侧所有 IGBT 的栅被硬关断；
a4. N 侧所有 IGBT 关断
a5. Fo 故障信号输出，脉冲宽度由外接电容 CFO 来决定；
a6. 输入信号电平“L”：IGBT 关断；
a7. 输入脉冲电平“H”：本来为 IGBT 开通信号，但在有 Fo 输出期间 IGBT 仍为关断状态；
a8. Fo 复位后，输入信号由“L→H”时，IGBT 开通。
项目解释
① VCC
IGBT 没有开关动作时 P-N 间可施加的zui大的直流电压。需要时可通过采用制动电路
等电压抑制措施来加以限制，使得 P-N 间电压不超过该值。
② VCC(surge)
IGBT 在开关状态下，P-N 间出现的浪涌电压的zui大值。有时需要降低母线电感以及
增加吸收电路来避免 P-N 间电压超过这个电压值。
③ VCES 可在内置 IGBT 的 C-E 间施加的zui大电压值。
④ ±IC 在 Tc=25℃时，允许持续导通的直流电流。温度升高时，可持续导通的电流值将下降。
⑤ Tj 结温的zui大额定值为瞬时 150℃，但为了安全工作，推荐平均结温在 125℃以下。另
外，温度变化也会影响寿命。请参照 3.1.10 寿命曲线进行设计。
⑥ VCC(PROT)
发生短路保护时模块能安全关断 IGBT 的zui大电压值。超过此值，模块不能被可靠保
护，而且内部元件被破坏的可能性高。
⑦ Tc 测定点 硅片的正下方为 Tc 测定点。请在外部散热器表面的 Tc 测定点相应位置安装热电偶。
由于实际上的P侧和N侧的控制方式不同，可能导致zui高壳温点与上述的Tc测定点有所不同，此时需要
将测试点改在具有zui高温度的功率硅片的下方。请参照2.3.2的硅片布局图来改变Tc测量点。
2.1.2 电气特性：热阻
表 2-2 给出了 PS21A7A (7/600V)的热阻值。
表 2-2 PS21A7A (7/600V)的热阻规格
热 阻
项 目 符 号 条 件 zui小值 典型值 zui大值 单 位
结-壳间热阻 Rth(j-c)Q 逆变 IGBT 部分 ( 1/6 模块 ) － － 0.77
(注 2) Rth(j-c)F 逆变 FWDi 部分 ( 1/6 模块 ) － － 1.25
℃/W
(注 2)应将具有良好热传导特性的硅脂均匀涂抹在 DIPIPM 和散热器的接触面上，厚度为 100∼200μm。并按照推荐的力矩和
方法拧紧。（硅脂应在组件工作温度范围内性能不变。）
硅脂的厚度和热传导率决定 DIPIPM 与散热器间的接触热阻。当硅脂厚度为 20μm、热传导率为 1.0W/m･K 的时候，接触热
阻（1/6 模块）为 0.2℃/W。
表 2-2 给出了在稳态下硅片结到外壳之间的热阻。对于第 4 代大型 DIPIPM 的热阻，大约 10 秒达到
稳态值。10 秒钟内的热阻（被称为瞬态热阻）曲线如图 2.1 所示，图 2.1 中瞬态热阻 Zth(j-c)的“1”相当
于规格表中的热阻值。
在 0.1 秒时，PS21A7A 的 IGBT 部分的瞬态热阻值为 0.77(℃/W)×0.5=0.39(℃/W)。瞬态热阻不是在
稳态电流时应用，而是在短时间(ms 程度) 大电流时计算瞬态温升而使用（例如电机启动及停止）。 
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