DGR高压谐振电容器 DGR高压谐振电容器

广泛应用于各种高压 中频，超音频等电子设备的串、并联谐振电路。

深圳市天明伟业电子有限公司，总部座落于改革开放的先峰城市：深圳市龙华新区，具有15年的金属化介质电容器研发、制造、销售和服务经验，拥有一支具备创新能力的专业技术团队和一支训练有素、高度稳定的技术工人队伍，可为客户提供聚酯、聚丙烯和聚苯硫醚等各类介质的工业电力电子薄膜电容器，也可根据客户的不同要求提供个性化的定制产品。 天明伟业DAWNCAP：专注于电力电子电容，为客人提供最实用最满意及价格合理的电容器解决方案。自主品牌：DAWNCAP。 DAWNCAP电容的标准品涵盖了广泛的系列，强大的开发设计能力、快速的交货方式、具有竞争力的价格、为电力电子行业的产品设计工程师提供灵活多方面的薄膜电容解决方案。产品的设计主要针对高压、大电流、高频场合，包括直流链支撑、直流母线高纹波处理、IGBT/GTO的缓冲电路、高频大电流谐振、高频大电流隔直、AC滤波、高电压备压应用高频高压脉冲等。主要应用领域有： · 高频高压开关电源 · 太阳能/工业风力发电 · 高压变频器 · UPS/EPS电源 · 感应加热电源 · 混合动力汽车 · 逆变焊机 · 电磁感应加热 · 节能环保设备.中高频工业电炉等。 深圳市天明伟业电子有限公司的质量保证体系完全按照 ISO9001:2008、TS16949:2009标准构建并有效运行。 深圳市天明伟业电子有限公司将一如既往地秉承“以客户为关注焦点”的宗旨，竭诚为您提供优质的产品以及满意的服务。

广泛应用于各种高压 中频，超音频等电子设备的串、

并联谐振电路。

电介质：聚丙烯薄膜

结构：双面金属化与金属化膜内串结构

封装：阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装

引出：镀锡铜螺母或片引出

高纹波电流

高稳定性,低损耗

具有自愈性

引用标准/Reference standards	IEC 61071 60068
工作温度范围/Operating temperature range	-40~85℃
容量范围/Capacitance	0.1~4μF
额定电压 /Rated Voltage	3000-8000VAC
容量偏差 /Tolerance	±5% 10%
间耐电压 /Test voltage between terminals	1.5Ur(DC) 10s  25±5℃
壳耐电压 /Test voltage between terminals and case	3000V 50Hz 60S, 25±5℃
损耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤6×10-4 at 25±5℃ , 1KHz
缘电阻/Insulation resistance	C*IR≥30000S,   at  100VDC,25±5℃,60S
预期寿命/Life expectancy	100000h at Ur and 70℃

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