半导体晶圆材料 HTR-4立式4寸快速退火炉

HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。

北京精科智创科技发展有限公司是一家主要是从事精密仪器设备，我们同中国科学院，北京科技大学，清华大学，上海交通大学，北京航空航天大学等建立了合作和研究中心，目前我们主要在安全控制设备，计量检测设备，科学材料研究设备，3D打印及空间技术的研发和销售，我们将同国内的科研机构和高等院校进行更加广泛的合作，服务于国内和国外广大客户，我们将提供优质产品，优质服务，共同开拓进取。

我们为你提供材料表征测量的一系列产品：

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一表征：压电材料d33测量仪
1、ZJ-3型压电测量仪

2、ZJ-4型d33测量仪

3、ZJ-5型积层压电测试仪

4、ZJ-6型静压电d33/d31/d15测量仪

5、ZJ-7型高温压电测试仪

★压电极化装置

1、PZT-JH10/4压电极化装置（10KV以下压电陶瓷同时极化1-4片）

2、PZT-JH10/8压电极化装置（10KV以下压电陶瓷同时极化1-8片）

3、PZT-JH20/8高压电极化装置（20KV以下压电陶瓷同时极化1-8片）

4、PZT-FJH20  /3高压真空，空气极化装置（20KV以下压电陶瓷及压电薄膜1-3片试样）

★ 压电制样装置

1、ZJ-D33-YP15压电陶瓷压片机（压力范围: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T2

2、ZJ-D33-SYP30电动型压电陶瓷压片机（压力范围: 0--15T，0-24T，0-30T，0-40T）

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第二表征 铁电材料测量系统及电滞回线测量系统

1、ZT-4C型综合铁电测量系统

2、JKZT-10A铁电材料综合参数测试仪

3、JKGT-G300高温铁电材料测量系统

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第三表征 热电材料分析测量系统及塞贝克系数测试仪

1、BKTEM-Dx热电性能分析系统

2、BKTEM-Dx热电器件性能分析系统

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第四表征 介电材料测试系统

1、 常温介电测量系统，常温介电材料测试仪

2、 高温介电测量系统，高温介电材料测试装置

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第四表征磁性材料测试系统

HTR-4立式4寸快速退火炉

 

HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。

主要应用领域：

1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

2.离子注入/接触退火；

3.金属合金；

4.热氧化处理；

5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；

6.多晶硅退火；

7.太阳能电池片退火；

8.高温退火；

9.高温扩散。

产品特点：

·         可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。

·         压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。

·         存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。

·         快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10^-5Pa。

·         程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。

·         独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。

·         全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。

·         超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。

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·         主要技术参数：

最大样品尺寸	4英寸（直径100mm）
控温范围	RT~1200℃
升温速率（max）	150℃/s
高温段降温速率（max）	1200℃/min
控温精度	±0.5℃
温场均匀性	≤1%
气体流量	标配1路MFC控制（氮气）可扩展至4路
压力控制	~1bar，±100Pa
工艺条件	支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间

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