DP08176 正向压降温度特性试验仪

正向压降温度特性试验仪 型号:DP08176从物理实验的需求出发，以基本的PN结半导体器件，开设了一个半导体物理实验，根据PN结的正向压降与其正向电流、温度的关系，研究PN结的伏安特性，测量波尔兹曼常数，估测半导体材料的禁带宽度，从而很好地学习和掌握一些重要的半导体物理知识。

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正向压降温度特性试验仪 型号:DP08176

从物理实验的需求出发，以基本的PN结半导体器件，开设了一个半导体物理实验，根据PN结的正向压降与其正向电流、温度的关系，研究PN结的伏安特性，测量波尔兹曼常数，估测半导体材料的禁带宽度，从而很好地学习和掌握一些重要的半导体物理知识。
正向压降温度特性试验仪可开设的实验
  1、测量同一温度下，正向电压随正向电流的变化关系，绘制伏安特性曲线；
  2、在同一恒定正向电流条件下，测绘PN结正向压降随温度的变化曲线，计算灵敏度，估算被测PN结材料的禁带宽度；
  3、学习用Execl进行指数函数的曲线回归的方法，并计算出玻尔兹曼常数；
  4、探究：用给定的PN结测量未知温度。
主要技术特点
  1、开放式设计，提供多个通用式的温度插孔，可方便地插入被测传感器。PN结传感器可以随时取出，可以用于实际温度测量。除PN结传感器外，可用来测量热敏电阻、铜电阻、热电偶、 AD590和LM35等温度传感器。
  2、特别设计了一个能稳定输出1nA～1mA范围的精密微电流源，解决了测量微电流跳字、不稳定的问题，能准确地测量正向压降。
  3、在常温下就能估测出绝对零度时硅材料的禁带宽度，而不需要在冰水混合物中测量。
正向压降温度特性试验仪主要技术参数
  1、控温范围：室温~120℃，温度控制精度：±0.2℃，分辨率：0.1℃，控制方式：PID控制。
  2、PN结传感器2个：S9013、C1815，小功率NPN晶体三极管的CB结短路而形成的PN结。
  3、电流输出范围1nA～1mA分4段可调，调节细度：小1nA，开路电压：约5V；
  4、微电流显示范围：10-9～2×10-6A，分辨率10-9A；
  5、正向压降测量范围：0～2V，分辨率：1mV

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