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GMSD2000 多壁碳纳米管浆料分散机

上海思峻机械设备有限公司
会员指数: 企业认证:

价格:电议

所在地:上海

型号:GMSD2000

更新时间:2021-05-27

浏览次数:684

公司地址:上海市嘉定区朱戴路900号

刘先生(先生) 销售经理 

产品简介

SGN多壁碳纳米管浆料分散机转速可达14000rpm,线速度为44m/s,定转子间隙为0.2-0.3mm,属于超精细分散,高速剪切速率,分散后的碳纳米管浆料更加均匀稳定。

公司简介

上海思峻机械设备有限公司是一家依托德国SGN先进工业设备生产加工技术的中德合作创新型企业。公司通过引进德国SGN的先进技术、科学管理模式以及高端工业设备的销售模式等,培养了一大批在研发、制造以及销售等领域的高端人才!在德国SGN工业设备的基础上,思峻又自主创新开发了一批适应市场高要求的新型研磨分散设备。

 公司主要研发、制造、销售流体领域的高尖端乳化机、胶体磨、均质机、分散机、研磨分散机、乳化泵、剪切泵、粉液混合机、成套多功能真空乳化机等设备,为混合、分散、均质、悬浮、乳化、湿磨、粉液混合等领域提供高品质的解决方案,设备加工材料细度可达微纳米级别。公司始终拥有一批在食品、化工、医药、新能源等领域有丰富经验的高尖端人才,能够专业为客户配备例如食品生产线、机械剥离法石墨烯生产线、氧化还原法石墨烯生产线、高纯度碳纳米管生产线、复合浆料生产线等。

公司特别注重设备的售后服务。依托一支技术扎实、服务贴切的售后团队,我们将致力于为客户提供整套的售后服务,在最短的时间内为客户解决与合作相关的一系列问题。

“业精于专”是思峻公司的宗旨,专注人才、专注创新、专注品质、专注服务是公司一贯的追求和对您的承诺,我们坚信专注打造精品,专注将助力思峻在分散、乳化、均质的事业领域中勇攀高峰!

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产品说明

一、产品名称:多壁碳纳米管浆料分散机,碳纳米管浆料分散机,多壁碳纳米管分散机,多壁碳纳米管研磨分散机

 

二、多壁碳纳米管性质及应用

 

多壁碳纳米管可以看成是不同管径的单壁碳纳米管套装而成,少则2层多则达十多层,层距约为0.343nm,每层纳米管式由碳原子通过SP2杂化与周围3个碳原子完全键和后所构成的六边形平面组成的圆柱面,碳纳米管直径在几纳米到几十纳米之间,而长度可达数微米,具有较大的长径比。多壁碳纳米管可用做催化剂材料、储氢材料、复合增强材料、分子电子器件、特殊吸附材料等。

三、碳纳米管分散技术三要素

 

碳纳米管分散技术三要素:分散介质、分散剂和分散设备

1、分散介质

(1)根据粘度不同,分散介质分为高粘度、中粘度和低粘度三种。在低粘度介质中,如水和有机溶剂,碳纳米管易于分散。中粘度介质如液态环氧树脂、液态硅橡胶等,高粘度介质如熔融态的塑料。

(2)碳纳米管分散技术,针对中、低粘度分散介质。

2、分散剂

(1)分散剂的选择,与分散介质的结构、极性、溶度参数等密切相关。

(2)分散剂的用量,与碳纳米管比表面积和共价键修饰的功能基团有关。

(3)水性介质中,推荐使用TNWDIS。强极性有机溶剂中,如醇、DMF、NMP, 推荐使用TNADIS。中等极性有机溶剂如酯类、液态环氧树脂、液态硅橡胶,推荐使用TNEDIS 。

3、分散设备

(1)超声波分散设备:非常适合实验室规模、低粘度介质分散碳纳米管,用于中、高粘度介质时会受到限制。

(2)研磨分散设备:适合大规模地分散碳纳米管、中粘度介质分散碳纳米管。

(3)采用“先研磨分散、后超声波分散”组合方法,可以高效、稳定地分散碳纳米管分散剂用量推荐。

 


四、碳纳米管分散难点

 

碳纳米管分散,其实也就是所谓的纳米级物料的分散,在做纳米粉体分散或研磨时,因为粉体尺度由大变小的过程中,范德华力及布朗运动现象逐渐明显且重要。选择适当助剂以避免粉体再次凝聚及选择适当的研磨机来控制研磨浆料温度以降低或避免布朗运动影响,是湿法研磨分散方法能否成功地得到纳米级粉体研磨及分散关键技术。多壁碳纳米管浆料一般固含量为5%,随着充分的分散,浆料的粘稠度及流动性会逐渐变好。

 

 

五、SGN多壁碳纳米管浆料分散机特点

 

1、SGN研磨分散机的结构为:第一级为胶体磨头定转子,第二级为分散盘定转子;有利于碳纳米管浆料的分散,先研磨后分散,避免物料的团聚。

 

2、SGN研磨分散机转速可达14000rpm,线速度为44m/s,定转子间隙为0.2-0.3mm,属于超精细分散,高速剪切速率,分散后的碳纳米管浆料更加均匀稳定。

 

3、SGN研磨分散机应对碳纳米管浆料,机械密封采用合金环,设备所有密封圈采用全氟橡胶;另外SGN研磨分散机更模块都带有夹套可进行温度控制,便于各种工艺的要求。

 



本页产品地址:http://www.geilan.com/sell/show-9118329.html
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