LK-HT-648 变温霍尔效应实验仪

霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。​

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我们坚信 良好的信誉，合理的价格以及卓越的产品质量是取悦于每一位客户的战术，同时这也正是我们企业的生存希望！我们也期盼着社会各界人士能对我们的产品提出宝贵的建议。

我们的宗旨：为客户提供能够创造高效益的服务！

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霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。

主要指标

1．电磁铁 0-300mT连续可调

2. 励磁电源0-连续可调 可自动换向稳定性﹤±0.1%

3. 数字特斯拉计0-2000mT 三位半数字显示 分辨率0.001

4. 恒流源输出1mA 稳定性±0.1%

5. 数据采集系统霍尔电压测量zui小分辨率1uV

6. 温度变化测量范围 80-400K

7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成

8. 探头样品采用单晶锗片

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