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| 是否提供加工定制 | 否 | 类型 | 数字式电阻测量仪表 |
| 型号 | ZNR-2A | 测量范围 | 硅晶体电阻率：0.005-50000Ω?cm（MΩ） |
ZBR-2A型两探针电阻率测试仪是北京卓耐科技有限公司严格按照硅片电阻率测量的标准及标准设计制造，并针对目前常用的两探针电阻率测试仪存在的问题加以改进。是一款高端电阻率测试仪器，具有电阻率大量程及量程测量的特点，实现了电阻率从0.0001欧姆.厘米到几万欧姆.厘米（可扩展）的测试范围，具有测量精度高、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点。是西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业、物理提纯生产多晶硅料生产企业、半导体材料厂、器件厂、科研部门、高等院校以及需要量程测试电阻率测试的企业的帮手。
使用范围
测量半导体材料（主要是硅单晶 锗单晶）电阻率，几何形状为长度大于横截面线度的有规则的长棒，如横断面为圆形、正方形、长方形或者梯形的单晶或多晶锭
产品特点
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
适用于科研部门、高等院校及需要量程测量电阻率的企业
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差， 实现了测量的和宽的量程范围
双数字表结构使测量更，操作更简便
具有强大的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高
采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响
具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
两探针的测量精度一般优于四探针法，特别是对多晶材料的测量。
技术参数
测量范围 | 硅晶体电阻率：0.005-50000Ω•cm 锗单晶：0.1-100Ω•cm |
可测硅棒尺寸 | zui大长度300mm；直径20mm（均可按用户要求更改） |
输出电流 | DC0.001-100mA五档连续可调测量范围：0-199.99mV |
灵敏度 | 10μA |
输入阻抗 | ≥0.3% |
电阻测量误差 | ≤0.3% |
供电电源 | AC 220V ±10% 50/60Hz. |
推荐使用环境 | 温度：23±2℃相对温度：≤65% |
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