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二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试

西安易恩电气科技有限公司

会员指数：

企业认证：

价格：电议

所在地：陕西西安市

型号：

更新时间：2022-09-27

浏览次数：1130

公司地址：西安市高陵区融豪工业城V5

15249202572 李想(女士) 经理

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产品简介

二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的标准、军标，系统为式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。系统特点：功率源 3000V/200A测试系统整体采用计算机操控测试数据由计算机记录，并进行 Excel 处理采用脉冲法测试，脉宽为国军标自动化程度高（可按设定的程序自动测试）测试灵活（应对

公司简介

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动IGBT参数测试系统、功率器件图示系统、集成电路测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、军工、高校等诸多领域。
完善的基础设施和人才队伍一直是企业强化建设的重点。公司设有测试实验室，调试中心，产品研发中心，服务团队等多个技研服务部门，以满足不同客户对测试解决方案的多层次需求。公司研发人员占总人数的40%，硕士学历以上人员占75%，专业技术人员占比超过66%，成员大多来自航天、航空、半导体及微电子相关研究院所及电力电子行业内的资深人士。公司通过了质量体系ISO9000认证及陕西省软件企业认定，承担国家科技部创新基金项目等，目前获得发明4项，实用新型15项，软件著作权3项。

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产品说明

二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试Labview 平台开发，数据编辑处理功能强，菜单式，模块化，人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气，电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型，失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。

二管、IGBT和MOSFET的静态参数测试●规格环境

尺寸：250×570×280（mm）

质量：15kg

环境温度：15~40℃

工作电压；AC220V±10%（无严重谐波）

电网频率：50Hz

通信接口；USB RS232

功能单元	参数指标
基本参数	功率源：3000V/200A
栅-发射漏电流	IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA
^IGES	集电电压VCE: 0V
^IGES	栅电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V
	栅电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V
	集电电压V_CES: 200-3000V±2%±10V
集电-发射电压	集电电流I_CES: 0.1-1mA±3%±0.01mA
	栅电压 V_ge: 0V
集电-发射饱和	VCESat:0.1-5V±2%±0.01V
电压VCESat	栅电压Vge: ±15V±2%±0.2V
电压VCESat	集电电流ICE: 10-100A±2%±1A
	集电电流ICE: 10-100A±2%±1A
集电-发射截止	集电电压VCE: 200-3000V±3%
集电-发射截止	集电电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA
电流I_CES	集电电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA
电流I_CES	栅电压VGE: 0V
	栅电压VGE: 0V
栅-发射阈值电	VGEth: 1-10V±2%±0.1V
压	Vce=15V
压
二管压降测试	VF: 0.1-5V±2%±0.01V
二管压降测试	IF:5-100A±2%±1A
	IF:5-100A±2%±1A
	Vge: 0V
反向击穿BVR	BVR：200-3000V±2%±10V
反向漏电流IR	IR：0.1-10mA±3%±0.01mA
反向漏电流IR
导通电阻RDS（on）	1-10mΩ±2%±0.1 mΩ
导通电阻RDS（on）	10-50mΩ±2%±0.5 mΩ