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价格：电议
所在地：辽宁 丹东市
型号：
更新时间：2019-01-14
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公司地址：辽宁省仪器仪表工业园45号
袁志云(女士) 经理
辽宁赛亚斯科技有限公司是仪器仪表高科技产品生产商，代理商。集开发设计、生产、销售、服务、技术支持为一体的高科技企业。公司大量提供国内外各种先进的在线、离线仪器仪表、机械设备与材料，尤其在石油、化工、环保、电子、冶金、机械、光学、通讯、科技教学等领域，与国内外众多著名专业厂家有密切合作关系。 经营领域主要包括：仪器仪表、气体检测仪、金属探测仪、环保设备、实验室仪器、化工仪器设备、农业仪器、机电设备、电力通讯设备等近百个行业多种仪器仪表技术和相关设备。
服务主要包括：仪器产品技术支持、产品制造、销售、维护、维修、运行。
自成立以来凭借专业的的技术服务团队、大型的仓储基地及完善的代理及销售体系业务发展迅速，相关党政军机构、院校以及世界五百强企业已成为赛亚斯长期合作伙伴，赛亚斯通过线上直销体系及遍布全国的经销网络，zui大化压缩了商品流通环节，走自主品牌化道路，大大降低了客户采购成本，成为业内知名仪器仪表高科技产品生产商，代理商。
在未来的发展中，赛亚斯将继续坚持诚信、团队、专业、创新的企业精神，以更专业化的技术支持服务与优质的产品满足各行业的需求，为国内外仪器仪表市场发展贡献自己的力量。
一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。被测器件可通过图形显示，系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、厂家SIMI2939（CS2935）半导体分立器件测试仪价格测试参数
1． 二管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
可测封装（TO-247，TO-220，TO-92，TO-39，14脚以下DIP）
三、厂家SIMI2939（CS2935）半导体分立器件测试仪价格测试参数范围
晶体管
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测试参数 |
测试范围 |
|
ICEO ICES ICBO |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
IEBO |
10uA-100uA 100uA-1mA 1mA-10mA 10mA-100mA |
|
VCE(sat) VBE(sat) |
0.10V-30V |
|
VBE(VBE(on)) |
0.10V-30V |
|
hFE |
1－99999 |
|
V(BR)EBO |
0.10V-30V |
|
V(BR)CEO V(BR)CBO |
10V-30V 30V-1499V |
二管
|
测试参数 |
测试范围 |
|
IR |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VF |
0.10V-30V |
|
V(BR) |
1V-30V |
|
30V-1499V |
稳压二管
|
测试参数 |
测试范围 |
|
IR |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VF |
0.10V-30V |
|
VZ |
0.10V-30V |
三端稳压器
|
测试参数 |
测试范围 |
|
VO |
0.10V-30V |
|
SV |
0.10mV-1V |
|
ID |
1uA-1 |
|
IDV |
1uA-10mA |
MOSFET
|
测试参数 |
测试范围 |
|
VGS(th) |
0.10V-30V |
|
gfs |
0.1mS-1000S |
|
RDS(on) |
10mΩ-100KΩ |
|
VDS(on) |
0.10V-30V |
|
IGSS |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
IDSS |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA 10mA-100mA |
|
ID(on) |
0-20A |
|
V(BR)GSS |
0.1V-30V |
|
V(BR)DSS |
0.1V-1499V |
光耦
|
测试参数 |
测试范围 |
|
VF |
0.10V-30V |
|
IR |
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
|
VCE(sat) |
0.10V-30V |
|
CTR |
0.1%-1000% |
|
ICEO |
与IR参数相同 |
|
ICBO |
与IR参数相同 |
|
V(BR)CBO V(BR)CEO |
0.10V-30V |
|
|
30V-1499V |
可控硅
|
测试参数 |
测试范围 |
|
IGT |
10uA-200mA |
|
VGT |
0.10V-30V |
|
IH |
10uA-1A |
|
IL |
10uA-1A |
|
VTM |
0.10V-30V |
3.3主要技术指标
1、源的指标
压流源 (VA)
电压：
|
设定范围（V） |
度 |
|
±(0~10) |
±(12.2mV+0.25%set) |
|
±(10~30) |
±(24.4mV+0.25%set) |
电流：
|
测量范围 |
度 |
|
±(0-20)uA |
±(48.8nA+0.25% set) |
|
±(20-200) uA |
±(488nA+0.25% set) |
|
±(0.2-2) mA |
±(4.88uA+0.25% set) |
|
±(2-20) mA |
±(48.8uA+0.25% set) |
|
±(20~200) mA |
±(244uA+0.25%set) |
|
±(0.2~2)A（脉冲） |
±(2.44mA+0.25%set) |
|
±(2-20)A（脉冲） |
±(24.4mA+1%set) |
压流源 (VB)
电压：
|
设定范围（V） |
度 |
|
±(0~10) |
±(12.2mV+0.25%set) |
|
±(10~30) |
±(24.4mV+0.25%set) |
电流：
|
测量范围 |
度 |
|
±(0-20)uA |
±(48.8nA+0.25% set) |
|
±(20-200) uA |
±(488nA+0.25% set) |
|
±(0.2-2) mA |
±(4.88uA+0.25% set) |
|
±(2-20) mA |
±(48.8uA+0.25% set) |
|
±(20~200) mA |
±(244uA+0.25%set) |
高压源（HV）
|
设定范围（V） |
度 |
|
0~1500 |
±(1.22V+1%set) |
*1500V时zui大输出为1mA。
2、电压表的指标
测漏电流
|
测量范围 |
度 |
|
±(0~200)nA |
±(2.44nA+0.25% Rdg) |
|
±(0.2-2)uA |
±(24.4nA+0.25% Rdg) |
|
±(2-20)uA |
±(244nA+0.25% Rdg) |
|
±(20~200) uA |
±(2.44uA+0.25% Rdg) |
|
±(0.2~2)mA |
±(24.4uA+0.25% Rdg) |
|
±(2-20)mA |
±(244uA+0.25% Rdg) |
|
±(20~200) mA |
±(2.44mA+0.25% Rdg) |
|
±(0.2~2)A（脉冲） |
±(24.4mA+0.25% Rdg) |
|
±(2-20)A（脉冲） |
±(244mA+1% Rdg) |
测试电压
|
设定范围（V） |
度 |
|
±(0~10) |
±(3mV+0.25% Rdg) |
|
±(10~30) |
±(3mV+0.25% Rdg) |
测击穿电压
|
设定范围（V） |
度 |
|
（0~30）V/10mA |
±(36.6mV+0.25% Rdg) |
|
（30~1500）V/1mA |
±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍数
|
设定范围（V） |
度 |
|
1~9999 |
1% |
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