PMEye-3000系列 PL Mapping测量仪

PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导

北京卓立汉光仪器有限公司是一家集光学、精密机械、电子、计算机技术于一体的高科技企业。卓立汉光自1999年起，通过数年的不断努力，成长为光电仪器知名厂商。目前公司的电控位移台、手动位移台、光学调整架等产品已经形成产品系列化,规格多元化，国内多家科研单位、激光加工设备厂商、光纤设备厂商在使用我们的产品。2000年推出国内第一套量产型三光栅光谱仪后，不断推出了多套荧光、拉曼、光电探测器光谱响应、太阳能电池检测等光谱测量系统，广泛应用在众多高校和科研院所的研究与试验,为国家科技创新贡献了一份力量，产品凭借优良的品质远销欧美、东南亚等海外市场。 2005年10月在同行业中率先通过ISO9001质量管理体系SGS国际认证。

卓立汉光主要生产经营：光谱仪、光谱测量系统、光量测仪器、电控精密位移台、手动精密位移台、光学调整架、光学平台、光学元件等系列产品。

我们诚心聆听用户的需要与批评，作为不断改进的动力，能让您满意卓立汉光的产品及服务，就是我们最大的成就。因此我们以卓立汉光的光机产品提供 “终身保固” 的承诺,来表达我们对产品的信心。

我们坚持从设计、零件选型、制造、装配、检验、包装、运输、直到售后服务做好全方位质量保证，就是要让您 “付有所值”，以合理的价位得到优质的产品，这是我们对您选择卓立汉光真诚的回报。

卓立汉光始终以满足用户需求为宗旨，分别于上海、 成都、 深圳设立分公司，为用户提供及时周到的销售与技术服务。“研发创新、快速反应、优质服务” 是我们的经营理念， 公司长期重视优质高效、最短时间为客户开发产品及提供技术支持。卓立汉光真诚的希望与国内外同仁携手合作，为推动我国光电产业迅猛发展做出贡献。

 ◆PLMapping测量

◆多种激光器可选
◆Mapping扫描速度：优于20点/秒
◆空间分辨率：10um（物镜），50um（透镜）
◆光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm
◆Mapping结果以3D方式显示
◆zui大8吋的样品测量
◆晶片定位
◆样品真空吸附
◆可做低温测量
◆膜厚测量

测试原理：
PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。
操作简便、全电脑控制
PMEye-3000系列PL Mapping测量仪，是一款适合于半导体晶片和LED外延片科研、生产和质量控制环节的仪器；采用整机设计，用户只需要根据需要放置合适的检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。
全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，防止对样品的损伤；可对常规尺寸的晶圆样品进行定位，提高测量重复性。
系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。

荧光测量
一般的PL测量仪只是测量荧光的波长和强度。PMEye-3000系列增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对荧光测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差，也使测量结果有可比性。
Mapping功能
PMEye-3000系列配置200200mm的X-Y电控位移台，zui大可测量8英寸的晶圆样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域及空间分辨率，扫描速度优于每秒20个点，空间分辨率可达10um（物镜），50um（透镜）。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。

激光器
PMEye-3000系列有多种高稳定性的激光器可选，系统多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个激光器。用户可以根据测量对象来配置不同的激光器，使PL检测更加灵活。
PMEye-3000系列可内置的激光器波长有：266nm，405nm，442nm，532nm、785nm等，外置激光器波长有：325nm，632.8nm等。

功能强大的软件
我们具有多年的测量仪器操作软件的开发经验，熟悉用户的操作习惯，这使我们开发的这套PMEye-3000系列操作软件功能强大且操作简便。
PMEye-3000系列操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量及显示，mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。

低温样品室附件
该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。
有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。
如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎含盖整个可见光范围，且强度的zui高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到zui低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。
GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

性能及功能

扫描模式	单波长mapping
摄谱模式	峰值波长mapping；给定波长范围的积分
光源	405nm激光（标配） 150W溴钨灯（可选，用于膜厚测量）
光源调制	斩波器
光谱仪	三光栅DSP扫描光谱仪
光谱仪焦距	500mm（标配）
波长准确度	±0.2nm（1200g/mm，300nm） ±0.6nm（600g/mm，500nm） ±0.8nm（300g/mm，1250nm）
探测器	Si探测器，波长范围：200～1100nm （标配）
数据采集设备	带前置放大器的数字采集器DCS300PA 锁相放大器SR830
二维位移平台	行程200*200mm，重复定位精度<3μm
样品台	具有真空吸附功能，对主流的3’’,4’’,5’’,6’’，8’’的晶片可进行定位
Mapping扫描速度	优于20点/秒
Mapping位移步长	zui小可到1um
空间分辨率	10um（物镜方式），50um（透镜方式）
重复定位精度	<3μm

探测器选择

探测器类型	光谱响应范围
R1527光电倍增管	200～680nm
CR131光电倍增管	200～900nm
DSi300硅光电探测器	200～1100nm
DInGaAs1700常温型铟镓砷探测器	800～1700nm
DInGaAs1900制冷型铟镓砷探测器	800～1900nm
DinGaAs2200制冷型铟镓砷探测器	800～2200nm
DinGaAs2600制冷型铟镓砷探测器	800～2600nm

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