DP-M3 手持式电阻率测试仪/方块电阻率仪

手持式电阻率测试仪/方块电阻率仪 型号;DP-M3概述 DP-M3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美 A.S.T.M 标准。

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 手持式电阻率测试仪/方块电阻率仪 型号;DP-M3

概述 DP-M3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美 A.S.T.M 标准。
成套组成：由MDP-M3主机、选配的四探针探头等二部分组成，也可加配测试台。
仪器所有参数设定、功能转换全部采用轻触按键输入；具有零位、满度自校功能；手动/自动转换量程可选；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电电池供电，适合手持式变动场合操作使用！
探头选配：根据不同材料性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配用探头，也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。
《四探针探头点与选型参考》点击入
仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、结构紧凑、使用简便等点。
仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的手持式导电性能的测试。
三、基本技术参数1. 测量范围、分辨率
电 阻: 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω
电 阻 率: 0.010～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm
方块电阻: 0.050～ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□
2. 可测材料尺寸
手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：
直 径：SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～1DP-M30mm。
SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。
长()度：测试台直接测试方式 H≤100mm。.
测量方位: 轴向、径向均可.
量程划分及误差等

量程（Ω-cm/□）	2.000	20.00	200.0	2.000k	20.00k
电阻测试范围	0.010～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～50.00k
电阻率/方阻	0.010/0.050～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～20.00k
基本误差	±1%FSB±2LSB			±2%FSB±2LSB

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