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所在地:北京
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更新时间:2011-12-21
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公司地址:北京市朝阳区双桥合美国际大厦A座
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杜女士(女士)
公司近年来不断地引进国内外先进的生产设备及制造工艺,研发新技术,增强技术优势,改良产品设计,力求创造质量一流的产品。公司主导产品服务于半导体及光伏行业检测.节能检测.雾气检测等行业的工艺与设计;公司以“卓越的品质,真挚的服务、低廉的价格”为宗旨,为国内广大用户提供了周到的售前咨询和售后服务,并与国内外多家仪器仪表制造厂商和国内科研机构建立了密切长期的合作伙伴关系。
卓耐科技欢迎各位客户前来光临做客,我们将以最真诚的服务来回报广大客户对我们工作的支持。我们会不断推出质量可靠,性能卓越的产品,坚持以质量效益为发展道路,以让顾客满意为永恒主题。也同时希望社会给予我们更多的关注。
www.ace-gem.com 卓耐科技母合金是半导体拉晶的重要掺杂元素
产品特点
进口12N电子极原生多晶硅,配掺高纯度硼粉(7N)级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。
母合金掺杂计算方法
电阻率P的单晶,它的头部对应的的杂质浓度为C头,多晶硅原料的重量为W,母合金的杂质浓度为C母,应掺母合金重量为M
应掺母合金重量为M =W*C头/(K*C母—C头),其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数。
参数
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 杂质含量指标 硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 杂质含量指标 硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18
■ 硅单晶N型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 杂质含量指标 磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
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