DP29256 场效应管测试仪 MOS管测试仪

场效应管测试仪 MOS管测试仪是全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导功率场效应管主要参数的测试。...

场效应管测试仪 MOS管测试仪 型号：DP29256

一、DP29256 场效应管测试仪 MOS管测试仪概述  
 场效应管测试仪 MOS管测试仪是全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。

二、二、场效应管测试仪 MOS管测试仪主要技术性能   
   1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。  
    2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
     3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。
     4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。  
    5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

三、场效应管测试仪 MOS管测试仪主要测试功能  
    1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。  
    2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
     3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。
     4、对其它大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
     5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。
     6、压敏电阻电压的测试等。
四、测试盒与测试线
     1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。
     2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

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