少子寿命测试仪

    少子寿命测试仪是一款功能强大的少子寿命测试仪，适用于硅片少子寿命的测量，少子寿命测试仪测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。
    少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。
    少子寿命测试仪全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。专业定制样品架大程度地满足了原生多晶硅料企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，大程度地降低了企业的测试成本。