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变温霍尔效应实验仪利用计算机的数据采集和处理在温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量,进行半导体导电机制及散射机制的研究,并可确定半导体的一些基本参数,如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。...
变温霍尔效应实验仪 型号:DP11892
变温霍尔效应实验仪利用计算机的数据采集和处理在温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量,进行半导体导电机制及散射机制的研究,并可确定半导体的一些基本参数,如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。
变温霍尔效应实验仪主要技术指标
1.电磁铁 0-300mT连续可调
2. 励磁电源 0-5A连续可调 可自动换向 稳定性﹤±0.1%
3. 数字特斯拉计 0-2000mT 三位半数字显示 分辨率0.001
4. 恒流源输出 1mA 稳定性±0.1%
5. 数据采集系统霍尔电压测量小分辨率1uV
6. 温度变化测量范围 80-400K
7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成
8. 探头样品采用单晶锗片
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