xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪

产品简介
xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪 晶体在外加电场的作用下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传输特性就会受到影响,光学参数发生相应改变,这种现象称为电光效应。...
产品详细介绍
北京百思佳特公司 刘静
销售热线 br /> xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪
晶体在外加电场的作用下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传输特性就会受到影响,光学参数发生相应改变,这种现象称为电光效应。
采用半导体激光器作为光源(650nm4mW)。
晶体的通光面积为5×5mm2
zui大驱动电压Vmax≥1600V使现象更加清晰、完整。
xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪 可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
1875年克尔(kerr)发现了一个电光效应。即某些各向同性的透明介质在外电场作用下变为各向异性,表现出双折射现象,介质具有单轴晶体的特性,并且其光轴在电场的方向上,人们称这种光电效应为克尔效应。
1893年普克尔斯(pokells)发现,有些晶体,特别是压电晶体,在加了外电场后,也能改变它们的各向异性性质,人们称此种电光效应为泡克尔斯效应。泡克尔斯与克尔效应效应的区别在于:泡克尔斯效应是单轴晶体经强电场作用变成双轴晶体,克尔效应是各向同性的物质经强电场作用变成各向异性的单轴晶体。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用,它有很短的响应时间(可以跟上频率为1010Hz的电场变化),因此被广泛用于高速摄影中的快门,光速测量中的光束斩波器等。由于激光的出现,电光效应的应用和研究得到了迅速发展,如激光通信、激光测量、激光数据处理等。
晶体的电光效应
观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形,比较不同电压条件下的差异,理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪 观察在不同电压条件下的输出光的偏振态,理解泡克耳斯效应的作用机理。
测量半波电压,确定Δn与E的线性关系,绘出光的调制曲线。
用正弦电信号对晶体进行调制,实现电信号的光传输,理解工作点对调制、传输过程的影响。
外加音频信号,实验音频信号的光传输以重现,了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
光学实验导轨:800mm。
实验主机zui大驱动电压:Vmax≥1600V
半导体激光器:650nm, 4mW。
LN晶体附件:三维可调,通光面积:5*5mm2。
二维可调光电二管探头:调整范围:±2.5mm.
二维可调扩束镜:25倍,调制范围:±2.5mm.
激光功率指示计:三位半数字表头,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可调档。zui小分辨率0.1u W。

北京百思佳特公司主营行业:仪器仪表/实验设备/矿用设备/石油产品/教学仪器/医疗器械
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晶体在外加电场的作用下,其折射率将发生变化,当光波通过此介质时,其传输特性就会受到影响,光学参数发生相应改变,这种现象称为电光效应。
采用半导体激光器作为光源(650nm4mW)。
晶体的通光面积为5×5mm2
zui大驱动电压Vmax≥1600V使现象更加清晰、完整。
xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪 可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
1875年克尔(kerr)发现了一个电光效应。即某些各向同性的透明介质在外电场作用下变为各向异性,表现出双折射现象,介质具有单轴晶体的特性,并且其光轴在电场的方向上,人们称这种光电效应为克尔效应。
1893年普克尔斯(pokells)发现,有些晶体,特别是压电晶体,在加了外电场后,也能改变它们的各向异性性质,人们称此种电光效应为泡克尔斯效应。泡克尔斯与克尔效应效应的区别在于:泡克尔斯效应是单轴晶体经强电场作用变成双轴晶体,克尔效应是各向同性的物质经强电场作用变成各向异性的单轴晶体。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用,它有很短的响应时间(可以跟上频率为1010Hz的电场变化),因此被广泛用于高速摄影中的快门,光速测量中的光束斩波器等。由于激光的出现,电光效应的应用和研究得到了迅速发展,如激光通信、激光测量、激光数据处理等。
晶体的电光效应
观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形,比较不同电压条件下的差异,理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
xt25525晶体的电光效应-泡克尔斯效应实验仪 观察在不同电压条件下的输出光的偏振态,理解泡克耳斯效应的作用机理。
测量半波电压,确定Δn与E的线性关系,绘出光的调制曲线。
用正弦电信号对晶体进行调制,实现电信号的光传输,理解工作点对调制、传输过程的影响。
外加音频信号,实验音频信号的光传输以重现,了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
光学实验导轨:800mm。
实验主机zui大驱动电压:Vmax≥1600V
半导体激光器:650nm, 4mW。
LN晶体附件:三维可调,通光面积:5*5mm2。
二维可调光电二管探头:调整范围:±2.5mm.
二维可调扩束镜:25倍,调制范围:±2.5mm.
激光功率指示计:三位半数字表头,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可调档。zui小分辨率0.1u W。
北京百思佳特公司主营行业:仪器仪表/实验设备/矿用设备/石油产品/教学仪器/医疗器械
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